Транзистор Bc546 в Люберцах

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение ко...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 85 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…45...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 5 штук новых транзисторов СМД SOT-23 BC817-40 6C транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BCW66H схема FMMT619 характеристики цоколевка datasheet FMMTA05 6С Характеристики транзистора ВС817-40 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряже...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 85 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…45...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 85 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке: 10 шт. тип: транзистор биполярный кр...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=30V, Id=4,1A, Pd=1,4W, Rds(on)=52 mOhm

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC807-25 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение кол...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC556 B331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC256 схема BC450 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС556 Характеристики транзистора BC556B Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 В Напряжение коллектор-база,...

NPN medium power transistors 45V 1A 200mA 0,83W 100Mhz

Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Silicon N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=12A, Pd=1,9W, Rds(on)=7,6 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care) количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

Транзистор BC550C TO-92, NPN, 45В, 0.1А, 10штук по выгодной цене

Оптрон, многоканальный, Каналы 2, Вых транзисторный, 5

Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F

Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передач...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BS170FTA MV транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема DMG6968U-7 характеристики 2N6660 цоколевка SOT-23-3 datasheet N-MOSFET BS170FTA, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] Наименование прибора: BS170FTA Маркировка: MV Тип транзис...

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W

N‐,Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1​ Напряжение изоляции (RMS), В 5000 ​Коэффициент передачи по току (Min)...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 2TY транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог BC527 схема MPS4354 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не боле...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...

Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток нагрузки: 15А (до 30А при наличии...

Тип: Электронные компоненты

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Печатная плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Усилителя F120. Мощность 120Вт на нагрузку 4 Ома. Оконечный каскад построен на полевых транзисторах IRFP240 и IRFP9240. Напряжение питания двуполярное 56-0-56V Список элементов схемы усилителя F120: Микросхемы:...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC640 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SA1625 схема KSA1625 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС640 Характеристики транзистора BC-640 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, н...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Тип: транзистор

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Производство китай!! Описание Trans IRG4BC20UD Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 13 Импульсный ток коллектор...

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да

Тип: транзистор

Количество в упаковке: 25 шт

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит к выда...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не б...

Тип: Электронные компоненты

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200...

NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...

N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3404 A49T транзистор 5 шт. SOT23 SMD MOSFET схема FDN372S аналог характеристики цоколевка datasheet А49Т A03404 Наименование прибора: AO3404 Маркировка: A49TF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощност...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, н...

В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...

NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor 400V/600V, 0,2A, 0,6W ICBO 100/200mA

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics.Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая...

Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC Current Gain (hFE) (Min)@ Ic, Vce 25@ 150mA, 5V Current - Collector (Ic) (Max) 250mA Тип монтажа...

Транзистор BU806 по выгодной цене

Производитель STMicroelectronics Серия PowerMESH ™ II Упаковочная трубка Статус детали Устаревший N-канальный полевой транзистор типа FET Технология MOSFET (оксид металла) Напряжение слива к источнику (Vdss) 500 В Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C 8A (Tc) Напряжение...

В комплекте 10 штук новых транзисторов BC558 транзистор (10 шт.) TO92 BC556 схема BC557 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558В Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более:...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

Корпус SOP-16 Тип выходного сигнала Transistor Driver Функции Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down Частота переключения 1kHz ~ 300kHz Число выходов 2 Конфигурация выхода Positive Напряжение питания(Vcc/Vdd) 7 V ~ 40 V Топология Buck, Boost, Flyback, Forward Converter,...

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор